薄膜ガスセンサ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山口巖 , 駒田喜英 , 松崎清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-370935
公開番号（公開出願番号）：特開2005-134251
出願日： 2003年10月30日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

【課題】寿命を電池交換無しで5年以上保障するような薄膜ガスセンサの、特に水素選択性を向上させる。【解決手段】薄膜ガスセンサの感知層7を構成する第1層9を、ドナーとなる+5価または6価の元素(例えばSb)を添加したSnO2層、その上の第2層10を、Ptなどの貴金属触媒を1at%以上で20at%未満ドープしたSnO2層、そして第3層11を、Ptなどの貴金属触媒を20at%以上ドープしたSnO2層の3層構造とすることにより、十分に高い水素選択性を得られるようにする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

薄膜状の支持膜の外周部または両端部をSi基板により支持し、外周部または両端部が厚く中央部が薄く形成されたダイアフラム様支持基板上に、薄膜のヒーターを形成し、この薄膜のヒーター層を電気絶縁膜で覆い、その上にガス感知膜用の1対の貴金属電極、およびSnO2を主成分とする薄膜からなるガス感知膜を形成した後、その最表面にガス感知膜を完全に被覆するように形成した触媒担持多孔質アルミナからなる触媒フィルタ層(選択燃焼層)を有し、かつ、前記ガス感知膜が、ガス感知膜用Pt電極側から第1層としてドナーとなる+5価または+6価の元素を添加したSnO2層、さらにその上に第2層として触媒となる元素を添加したSnO2層を積層した2層構造のガス感知膜を形成してなる薄膜ガスセンサにおいて、ガス感知膜の前記第2層目の触媒となる元素を添加したSnO2層の上に、さらに、前記第2層目より触媒添加量が多い第3層目のSnO2層を設けたことを特徴とする薄膜ガスセンサ。

IPC (2件)：

G01N27/12 , G01N27/16

FI (3件)：

G01N27/12 B , G01N27/12 C , G01N27/16 B

Fターム (57件)：

2G046AA11 , 2G046BA01 , 2G046BA03 , 2G046BA06 , 2G046BA09 , 2G046BB02 , 2G046BB04 , 2G046BD03 , 2G046BD05 , 2G046BD06 , 2G046BE03 , 2G046BE08 , 2G046BF01 , 2G046BF02 , 2G046DB04 , 2G046DB05 , 2G046DC13 , 2G046DD01 , 2G046EA02 , 2G046EA04 , 2G046EA07 , 2G046EA09 , 2G046EA10 , 2G046EA11 , 2G046EA12 , 2G046EB01 , 2G046FB02 , 2G046FE00 , 2G046FE03 , 2G046FE24 , 2G046FE29 , 2G046FE31 , 2G046FE36 , 2G046FE38 , 2G046FE39 , 2G046FE41 , 2G060AA01 , 2G060AB08 , 2G060AE19 , 2G060AF02 , 2G060AF07 , 2G060AG10 , 2G060AG15 , 2G060BA01 , 2G060BA03 , 2G060BB09 , 2G060BB12 , 2G060BB14 , 2G060BB18 , 2G060HA01 , 2G060HB05 , 2G060HB06 , 2G060HC06 , 2G060HD03 , 2G060HE02 , 2G060JA01 , 2G060KA01

引用特許：

出願人引用 (7件)

ガスセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-105840 出願人：大阪瓦斯株式会社
薄膜ガスセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-096952 出願人：富士電機株式会社
特公平6-004397

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審査官引用 (7件)

特公平6-004397
ガスセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-105840 出願人：大阪瓦斯株式会社
薄膜ガスセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-096952 出願人：富士電機株式会社

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