半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-161363
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022094
出願日： 1998年05月25日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】高性能メモリを備えた半導体装置を提供する。【解決手段】データを記憶するメモリと、前記データを制御するロジック回路と、を備えた半導体装置が提供される。前記メモリおよび前記ロジック回路は、SOI(Silicon On Insulator)技術を用いて同一絶縁基板上に一体形成されるので、半導体装置の小型化が実現される。

請求項（抜粋）：

データを記憶するメモリと、前記データを制御するロジック回路と、を備えた半導体装置であって、前記メモリと前記ロジック回路とは、TFTによって構成され、かつ同一絶縁基板上に一体形成される半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 27/10 461 , G02F 1/136 500 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 27/10 461 , G02F 1/136 500 , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371 , H01L 29/78 612 Z , H01L 29/78 613 B

Fターム (56件)：

2H092GA59 , 2H092JA25 , 2H092JA33 , 2H092JA40 , 2H092JB42 , 2H092JB52 , 2H092JB63 , 2H092JB67 , 2H092KA05 , 2H092KA10 , 2H092KA18 , 2H092KA19 , 2H092KB25 , 2H092MA06 , 2H092MA07 , 2H092MA08 , 2H092MA10 , 2H092MA20 , 2H092MA24 , 2H092MA25 , 2H092MA27 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092MA37 , 2H092MA41 , 2H092NA07 , 2H092NA27 , 2H092PA01 , 2H092PA06 , 2H092PA08 , 2H092PA09 , 2H092QA07 , 2H092RA05 , 5F001AA02 , 5F001AD03 , 5F001AD12 , 5F001AD70 , 5F001AG40 , 5F083EP02 , 5F083HA02 , 5F083JA06 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA58 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA10 , 5F083PR18 , 5F083PR33 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR45 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR55 , 5F083ZA12

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-238667 出願人：富士通株式会社
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-277034 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-231408 出願人：富士通株式会社

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