特許
J-GLOBAL ID：200903076002333351
窒化物系半導体素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西岡 伸泰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-016303
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216498
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 GaN等の窒化物基板6の表面に窒化物成長層7を形成すると共に、窒化物基板6の裏面及び窒化物成長層7の表面に電極5、8を形成してなる窒化物系半導体素子において、動作電圧の経時変化が少ない安定性の高い素子構造を提供する。【解決手段】 本発明に係る窒化物系半導体素子においては、電極5が形成された窒化物基板6の裏面が、窒化物基板6のC面に対して0.03°〜10°の傾斜角度を有している。該裏面は、窒化物基板6のC面に対して0.03°〜10°の傾斜角度に研磨を施すことによって形成される。
請求項（抜粋）：
窒化物基板(6)の表面に窒化物成長層(7)を形成すると共に、窒化物基板(6)の裏面に電極(5)を形成してなる窒化物系半導体素子において、電極(5)が形成された窒化物基板(6)の裏面が、窒化物基板(6)のC面に対して0.03°〜10°の傾斜角度を有していることを特徴とする窒化物系半導体素子。
IPC (2件)：
H01S 5/323
, H01L 21/28 301
H01S 3/18 673
, H01L 21/28 301 H
4M104AA04
, 4M104BB02
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB09
, 4M104BB13
, 5F073CA02
, 5F073CB02
, 5F073CB19
, 5F073CB22
