特許
J-GLOBAL ID：200903076039352127
多重浮彫要素スタンプと選択的付加圧力を利用したUVナノインプリントリソグラフィ法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
北村 修一郎
, 山▲崎▼ 徹也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-569953
公開番号（公開出願番号）：特表2006-521682
出願日： 2003年06月19日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：
本発明は基板上にナノ構造物を形成するためのUVナノインプリントリソグラフィ法に関する。本発明によるUVナノインプリントリソグラフィ法は、基板上面にレジストを塗布する工程と、形成しようとする基板上のナノ構造物に対応するナノ構造物が表面に形成されたスタンプを常温でレジスト上面に接触させ所定の低圧力で基板の方向に加圧する工程と、紫外線をレジストに照射する工程と、スタンプをレジストから分離する工程と、レジストが塗布された基板の上面をエッチングする工程とを含む。前記スタンプは少なくとも二つの要素スタンプと、互いに隣接した要素スタンプ相互間に形成された溝であって、各々の要素スタンプ上に形成されたナノ構造物の深さよりさらに深い溝とを有する多重浮彫要素スタンプであることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上にナノ構造物を形成するためのUVナノインプリントリソグラフィ法において、
基板上面にレジストを塗布する工程と、
形成しようとする前記基板上のナノ構造物に対応するナノ構造物が表面に形成されたスタンプを常温で前記レジスト上面に接触させ所定の低圧力で前記基板の方向に加圧する工程と、
紫外線を前記レジストに照射する工程と、
前記スタンプを前記レジストから分離する工程と、
前記レジストが塗布された基板の上面をエッチングする工程とを含み、
前記スタンプは、少なくとも二つの要素スタンプと、互いに隣接した要素スタンプ相互間に形成された溝であって、前記各々の要素スタンプ上に形成された前記ナノ構造物の深さよりさらに深い溝とを有する多重浮彫要素スタンプであることを特徴とするUVナノインプリントリソグラフィ法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, B82B 3/00
, B82B 1/00
, B81C 5/00
H01L21/30 502D
, B82B3/00
, B82B1/00
, B81C5/00
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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