分布帰還型半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-079978
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277851
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】優れたレーザ特性を有しながら、構成が簡単で製作が容易であり、且つ反射戻り光耐性に優れた半導体レーザを提供する。【解決手段】少なくとも回折格子により光帰還を行う分布帰還型半導体レーザにおいて、活性層が井戸層と障壁層から構成される量子井戸構造を有し、前記井戸層を引張り歪量子井戸層で構成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも回折格子により光帰還を行う分布帰還型半導体レーザにおいて、活性層が井戸層と障壁層から構成される量子井戸構造を有し、前記井戸層が引張り歪量子井戸層からなることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。

Fターム (7件)：

5F073AA64 , 5F073AA72 , 5F073AA83 , 5F073AA89 , 5F073EA22 , 5F073EA27 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-177562 出願人：古河電気工業株式会社
半導体光集積素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-042831 出願人：株式会社日立製作所
半導体レーザおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-255169 出願人：松下電器産業株式会社

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