特許
J-GLOBAL ID:200903076113643031
光電変換材料、半導体電極、並びにそれを用いた光電変換素子
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-220145
公開番号(公開出願番号):特開2004-063274
出願日: 2002年07月29日
公開日(公表日): 2004年02月26日
要約:
【課題】光電変換特性に優れた光電変換素子を提供すること。【解決手段】一般式(1)で示される光電変換材料。(一般式(1)において、R1はアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環残基を示し、置換基を有していてもよい。また、R1はベンゼン環と環状構造を形成してもよい。R2、R3は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環残基を示し、それぞれ置換基を有していてもよい。また、R2とR3は直接、あるいは連結基を介して結合し環状構造を形成してもよい。R4は酸性基を有する置換基を示す。Xはメチレン、酸素原子、硫黄原子、アミノ基、置換アミノ基を示す。nは0、1の整数を示す。)【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で示されることを特徴とする光電変換材料。
IPC (2件):
FI (2件):
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
Fターム (14件):
5F051AA07
, 5F051AA14
, 5F051CB13
, 5F051FA03
, 5F051FA06
, 5F051GA03
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS09
, 5H032AS16
, 5H032CC16
, 5H032EE03
, 5H032EE16
, 5H032EE20
引用特許:
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