結晶化金属酸化物薄膜の製造方法及びその用途

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-219834
公開番号（公開出願番号）：特開2008-044803
出願日： 2006年08月11日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：

【課題】ガラスやシリコン基板上に結晶化したY2O3を含む薄膜形成を可能にし、性能が高い蛍光体薄膜材料の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に形成されたY、Dy, Sm, Gd, Ho, Eu, Tm, Tb, Er, Ce Pr, Yb, La, Nd, Luからなる群れより選ばれる少なくとも一種類の希土類金属元素を含む有機金属薄膜または金属酸化物膜を、250〜600°Cの温度に保持し、波長200nm以下の紫外光を照射しつつ、結晶化を行うことを特徴とする結晶化金属酸化物薄膜の製造方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に形成された Y、Dy, Sm, Gd, Ho, Eu, Tm, Tb, Er, Ce Pr, Yb, La, Nd, Luからなる群れより選ばれる少なくとも一種類の希土類金属元素を含む有機金属薄膜または金属酸化物膜を、25〜600°Cの温度に保持し、波長200nm以下の紫外光を照射しつつ、結晶化を行うことを特徴とする結晶化金属酸化物薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

C01F 17/00 , H01L 21/312 , H01L 21/316 , C09K 11/02 , C09K 11/78 , H01G 4/10

FI (6件)：

C01F17/00 A , H01L21/312 A , H01L21/316 P , C09K11/02 A , C09K11/78 , H01G4/10

Fターム (48件)：

4G076AA02 , 4G076AB11 , 4G076AC08 , 4G076BA39 , 4G076BG05 , 4G076CA10 , 4G076DA07 , 4G076DA16 , 4H001CA04 , 4H001XA39 , 4H001XA57 , 4H001XA58 , 4H001XA59 , 4H001XA60 , 4H001XA62 , 4H001XA63 , 4H001XA64 , 4H001XA65 , 4H001XA66 , 4H001XA67 , 4H001XA68 , 4H001XA69 , 4H001XA70 , 4H001XA71 , 4H001YA63 , 5E082AB10 , 5E082CC20 , 5E082FG03 , 5E082FG27 , 5F058AC10 , 5F058AD09 , 5F058AF01 , 5F058AF02 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AG09 , 5F058AH04 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF02 , 5F058BF12 , 5F058BF20 , 5F058BF41 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BH17 , 5F058BJ04

引用特許：

出願人引用 (7件)

ナノ薄膜蛍光体及びその合成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-302962 出願人：株式会社アルバック
蛍光体の製造方法およびその蛍光体
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-032941 出願人：科学技術振興事業団
特許公開2005-150416号公報

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審査官引用 (11件)

複合酸化物膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-063295 出願人：株式会社関西新技術研究所
金属酸化物の製造方法及び微細パターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-308644 出願人：工業技術院長
特開平3-252314

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引用文献：

審査官引用 (2件)

Low-temperature growth of La0.8Sr0.2MnO3 thin films on LaAlO3 and SrTiO3 substrates by an excimer la
Low-temperature growth of La0.8Sr0.2MnO3 thin films on LaAlO3 and SrTiO3 substrates by an excimer la

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