特許
J-GLOBAL ID：200903076135379869

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
今野 泰一郎

今野 泰一郎 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-149548
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356221
出願日： 2003年05月27日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】窓層に金属酸化物を用いても光の取り出し効率を向上でき、高出力及び低コスト化が可能な半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】底面電極8が設けられたn-GaAs基板1上には、n-GaAsバッファ層2が設けられ、このバッファ層2には、nクラッド層3、活性層4、pクラッド層5よりなる発光部が形成され、pクラッド層5上にpコンタクト層6が形成される。pコンタクト層6上には、窓層としてのITO膜11が形成され、その表面には所定の厚みに凹凸12が形成される。更に、ITO膜11の表面の所定領域に上面電極9が形成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の導電型の基板と、活性層及び前記活性層を互いに導電型の異なる第1及び第2のクラッドで介挿した構造にして前記基板上に形成された発光部と、前記発光部上に形成された第2の導電型のコンタクト層と、前記コンタクト層上に形成された金属酸化物による窓層と、前記窓層の表面の所定領域に形成された上面電極と、前記基板の裏面に形成された底面電極を備えた半導体発光素子において、 前記窓層の表面に凹凸を形成したことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 B
Fターム (8件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA65 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98
引用特許：
審査官引用 (7件)
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