特許
J-GLOBAL ID：200903076144461241

ドライエッチング方法

発明者：
成田 雅貴

成田 雅貴 について

, 
杉浦 弘

杉浦 弘 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-068052
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269188
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 金属配線を半導体基板上に形成する方法において、少なくともバリア層及びその上のアルミニウムを主成分とする金属膜を含む積層膜を寸法変換差が低減されるようにパターニングするドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10上に少なくともアルミニウムを主成分とする金属膜14及びその下のバリア層12、13を含む積層膜上に所定のパタ-ンを有するマスク18を形成し、このマスクを用いて積層膜をエッチングして金属配線を形成するドライエッチング方法において、マスク側壁に過剰なエッチング生成物が堆積しないようにするエッチングガスを用いる。マスク側壁に過剰なエッチング生成物が堆積しないようにするエッチングガスとして、酸素原子を含むガスを用いる。酸素原子を含むガスは、酸素ガス、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガスのうちいずれかを用いる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にバリア層とアルミニウムを主成分とする金属膜とを順次形成してなる積層膜上にマスクを形成する工程と、前記積層膜をドライエッチング法により前記マスクを用いてエッチングして配線パタ-ンを形成する工程とを具備し、前記配線パターンを形成する工程は、酸素原子を含むエッチングガスを用いることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/3205 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
H01L 21/302 G ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 R
Fターム (37件)：
5F004AA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004CB02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F004DB16 ,  5F004DB17 ,  5F004EA13 ,  5F004EA22 ,  5F004EA28 ,  5F004EB02 ,  5F033HH09 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ21 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033TT01 ,  5F033TT04 ,  5F033WW06 ,  5F033XX03
引用特許：
審査官引用 (5件)
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