特許
J-GLOBAL ID：200903096683490361
窒化物半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-006298
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199798
出願日： 1996年01月18日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【目的】 窒化物半導体よりなるレーザ素子のしきい値電流を小さくして、室温で連続発振可能な素子を実現する。【構成】 Inを含む窒化物半導体よりなる活性層の上に、p型の窒化物半導体よりなる光ガイド層、光閉じ込め層及びコンタクト層を少なくとも有し、前記レーザ素子のレーザ光の共振方向に平行な方向にあたる前記光ガイド層、光閉じこめ層及びコンタクト層の幅が前記活性層の幅よりもエッチングにより狭く調整されており、さらに前記光ガイド層、光閉じこめ層及びコンタクト層のエッチング面には絶縁性薄膜が連続して形成されて、その絶縁性薄膜を介してコンタクト層と接続した正電極が設けられていることにより、レーザ光の横モードの光を制御してしきい値電流を下げる。
請求項（抜粋）：
次の(a)〜(c)の要件を具備することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。(a) Inを含む窒化物半導体よりなる活性層の上に、p型の窒化物半導体よりなる光ガイド層、光閉じ込め層及びコンタクト層を少なくとも有している。(b) 前記レーザ素子のレーザ光の共振方向に平行な方向にあたる前記光ガイド層、光閉じこめ層及びコンタクト層の幅が前記活性層の幅よりもエッチングにより狭く調整されている。(c) 前記光ガイド層、光閉じこめ層及びコンタクト層のエッチング面には絶縁性薄膜が連続して形成されて、その絶縁性薄膜を介してコンタクト層と接続した正電極が設けられている。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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