二次元画像検出器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：原謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-269304
公開番号（公開出願番号）：特開2001-091656
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】導電性接続材料を画素電極上、あるいは接続電極上に選択的に配置する際、使用する導電性接続材料を制限せず、簡単な処理工程で、且つ精度の優れたパターン形成が可能な二次元画像検出器を提供する。【解決手段】格子状に配置された画素電極3を有するアクティブマトリクス基板1と、光導電層、および該光導電層に接続されて上記画素電極3に対向する位置に配置された接続電極4を有し、上記アクティブマトリクス基板1と対向するように配置された対向基板2とが備えられている。上記画素電極3と接続電極4とを電気的および機械的に接続する導電性接続材5は、上記画素電極3および接続電極4の少なくとも一方にジェッティング処理により形成される。

請求項（抜粋）：

格子状に複数設けられた画素電極と、該画素電極にそれぞれ接続されている複数のスイッチング素子とを含む画素配列層を有するアクティブマトリクス基板と、光導電性を有する半導体層、および該半導体層上における上記画素電極に対向する位置に配置された接続電極を有し、該接続電極が上記アクティブマトリクス基板の画素配列層と対向するように配置された対向基板と、上記画素電極上および接続電極上の少なくとも一方にジェッティング処理により形成された、上記アクティブマトリクス基板と対向基板とを電気的および機械的に接続する導電性接続材とを備えたことを特徴とする二次元画像検出器。

IPC (7件)：

G01T 1/24 , H01L 27/146 , H01L 27/14 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H04N 5/335 , G02F 1/1368

FI (7件)：

G01T 1/24 , H04N 5/335 U , H01L 27/14 C , H01L 27/14 K , H01L 27/14 F , H01L 29/78 612 Z , G02F 1/136 500

Fターム (64件)：

2G088FF02 , 2G088GG21 , 2G088JJ05 , 2G088JJ09 , 2G088JJ31 , 2G088JJ33 , 2G088JJ37 , 2H092GA37 , 2H092GA38 , 2H092GA39 , 2H092JA26 , 2H092JB66 , 2H092KA07 , 2H092LA02 , 2H092LA05 , 2H092MA11 , 2H092NA25 , 4M118AA10 , 4M118BA05 , 4M118BA14 , 4M118BA19 , 4M118CA05 , 4M118CA06 , 4M118CA07 , 4M118CA15 , 4M118CA32 , 4M118CB05 , 4M118CB14 , 4M118EA01 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118FB20 , 4M118GA10 , 4M118HA20 , 4M118HA24 , 5C024AA01 , 5C024AA06 , 5C024AA11 , 5C024CA31 , 5C024FA01 , 5C024FA19 , 5C024GA00 , 5C024GA04 , 5F110BB09 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110EE34 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF29 , 5F110GG15 , 5F110GG44 , 5F110HK04 , 5F110HK32 , 5F110HL07 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置とその半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-231171 出願人：富士通株式会社
チップスケールパッケージ及びその形成方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-517447 出願人：フリップ・チップ・テクノロジーズ・エルエルシー
液晶表示装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-094608 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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