膜形成方法およびその装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-172644
公開番号（公開出願番号）：特開2001-003160
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2001年01月09日
要約：

【要約】【課題】基体に対する密着性の高い膜を大きな成膜速度で形成することができるようにする。【解決手段】この膜形成方法は、第1および第2の成膜工程を備えている。第1の成膜工程では、真空アーク放電によって陰極22を溶解させて陰極物質22aを含むプラズマ32を生成する第1の真空アーク蒸発源20によって生成したプラズマ32を、偏向磁場によって粗大粒子を除去する磁気フィルタ40を通して、負のバイアス電圧VB を印加した基体6の近傍に導いて、基体6の表面に第1の膜を形成する。第2の成膜工程では、真空アーク放電によって陰極52を溶解させて陰極物質52aを含むプラズマ62を生成するものであって真空アーク蒸発源20の陰極22と同一材質の陰極52を有する第2の真空アーク蒸発源50によって生成したプラズマ62を、負のバイアス電圧VB を印加した基体6の近傍に導いて、前記第1の膜の表面に第2の膜を形成する。

請求項（抜粋）：

真空アーク放電によって陰極を溶解させて陰極物質を含むプラズマを生成する第1の真空アーク蒸発源によって生成したプラズマを、偏向磁場によって粗大粒子を除去する磁気フィルタを通して、負のバイアス電圧を印加した基体の近傍に導いて、当該基体の表面に第1の膜を形成する第1の成膜工程と、真空アーク放電によって陰極を溶解させて陰極物質を含むプラズマを生成するものであって前記第1の真空アーク蒸発源の陰極と同一材質の陰極を有する第2の真空アーク蒸発源によって生成したプラズマを、負のバイアス電圧を印加した前記基体の近傍に導いて、前記第1の膜の表面に第2の膜を形成する第2の成膜工程とを備えることを特徴とする膜形成方法。

IPC (2件)：

C23C 14/32 , C23C 14/06

FI (3件)：

C23C 14/32 A , C23C 14/32 B , C23C 14/06 M

Fターム (9件)：

4K029BA43 , 4K029BB02 , 4K029BC02 , 4K029BD03 , 4K029BD05 , 4K029CA03 , 4K029CA13 , 4K029DD06 , 4K029JA02

引用特許：

審査官引用 (6件)

膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-326363 出願人：日新電機株式会社
薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-326122 出願人：日新電機株式会社
真空アーク蒸着方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-067207 出願人：株式会社神戸製鋼所

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