半導体装置の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-219955
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054760
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】低温プロセスによって、珪素を含む結晶性半導体膜中から触媒元素を除去または低減するための技術を提供する。【解決手段】非晶質半導体膜103内に当該触媒元素を導入し、加熱処理、レーザ照射により結晶化し、結晶性半導体膜106を得る。レジストマスク107を形成し、ボロンおよびリンを選択的に導入してゲッタリング領域108を形成する。次に、500〜650程度の加熱処理によって、被ゲッタリング領域110中の触媒元素をゲッタリング領域108にゲッタリングさせて、触媒元素の濃度が低減された結晶性半導体膜110を得る。この膜110をパターニングして、半導体装置の半導体層111を得る。

請求項（抜粋）：

基板上に珪素を含む非晶質半導体膜を形成する第1の工程と、前記非晶質半導体膜に該非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を導入する第2の工程と、前記非晶質半導体膜を結晶化させる第3の工程と、13族に属する不純物元素および15族に属する不純物元素を前記結晶化された半導体膜に選択的に導入して、ゲッタリング領域を形成する第4の工程と、前記結晶化された半導体膜において、前記第4の工程によって不純物元素が導入されなかった領域中の前記触媒元素を前記ゲッタリング領域にゲッタリングさせる第5の工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/322

FI (4件)：

H01L 29/78 627 G , H01L 21/20 , H01L 21/322 S , H01L 29/78 618 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-097478 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-142880 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-053737 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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