特許
J-GLOBAL ID：200903076751889943

半導体装置の製造方法

発明者：
榎本 哲也

榎本 哲也 について

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本田 一尊

本田 一尊 について

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永井 朗

永井 朗 について

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畠山 恵一

畠山 恵一 について


出願人/特許権者：
日立化成工業株式会社

日立化成工業株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  清水 義憲 ,  近藤 寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-255084
公開番号（公開出願番号）：特開2009-260230
出願日： 2008年09月30日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：
【課題】生産性を向上させる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウエハは、回路面に設けられた突起電極を有しており、半導体ウエハに対して、突起電極を埋め込むように回路面の全体に絶縁性樹脂層を形成する第1工程と、この半導体ウエハを薄化する第2工程と、この半導体ウエハをウエハリングに固定する第3工程と、この半導体ウエハをダイシングする第4工程と、ダイシングで個片化された半導体チップ11をピックアップするピックアップ工程と、半導体チップ11の位置合わせ後、半導体チップ11と基板15とを加熱・加圧することによって、半導体チップ11の突起電極2と基板15の基板電極14とを電気的に接続する電気的接続工程と、を備える。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
半導体ウエハを個片化してなる半導体チップと当該半導体チップが実装される基板とを有する半導体装置の製造方法であって、 前記半導体ウエハは、回路面に設けられた突起電極を有しており、 前記半導体ウエハに対して、前記突起電極を埋め込むように前記回路面の全体に絶縁性樹脂層を形成する第1工程と、 前記第1工程で前記絶縁性樹脂層が形成された前記回路面の反対側の面を研削して前記半導体ウエハを薄化する第2工程と、 前記第2工程で研削された前記反対側の面にダイシングテープを貼り合わせて、前記半導体ウエハをウエハリングに固定する第3工程と、 前記第3工程で前記ウエハリングに固定された前記半導体ウエハを、前記回路面側から前記絶縁性樹脂層と一緒にダイシングして、前記半導体ウエハを半導体チップに個片化する第4工程と、 前記第4工程で個片化された前記半導体チップを前記ダイシングテープからはく離してピックアップするピックアップ工程と、 前記ピックアップ工程でピックアップされた前記半導体チップの前記突起電極と前記基板の基板電極とを位置合わせした後、前記半導体チップと前記基板とを加熱・加圧することによって、前記半導体チップの前記突起電極と前記基板の前記基板電極とを電気的に接続する電気的接続工程と、 を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/304 ,  H01L 23/12
FI (6件)：
H01L21/60 311Q ,  H01L21/78 M ,  H01L21/78 Q ,  H01L21/78 Y ,  H01L21/304 631 ,  H01L23/12 501P
Fターム (4件)：
5F044KK11 ,  5F044KK21 ,  5F044LL01 ,  5F044QQ03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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