特許
J-GLOBAL ID：200903076926894538

埋め込み配線の形成方法及び埋め込み配線

発明者：
阿部 一英

阿部 一英 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-158835
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008039
出願日： 1995年06月26日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【目的】 研磨表面の平坦化を確保できる埋め込み配線の形成方法及び埋め込み配線を提供する。【構成】 絶縁層12をエッチングすることによって、絶縁層12に溝パターン13を形成すると共に絶縁層12からなり絶縁層12とほぼ同じ高さに達する島パターン14を溝パターン13内に所定間隔で形成する。溝パターン13内を埋め込む状態で、絶縁層12上に導電層15を成膜する。絶縁層12が露出するまで導電層15を化学的機械研磨によって研磨し、溝パターン13内に導電層15からなる埋め込み配線15を形成する。これによって、溝パターン14の開口幅を部分的に狭くした状態で導電層15の化学的機械研磨を行い、ディッシング現象を防止した埋め込み配線16の形成が行われる。
請求項（抜粋）：
絶縁層をエッチングすることによって、当該絶縁層に溝パターンを形成すると共に当該絶縁層からなり当該絶縁層とほぼ同じ高さに達する島パターンを当該溝パターン内に所定間隔で形成する工程と、前記溝パターン内を埋め込む状態で、前記絶縁層上に導電層を成膜する工程と、前記絶縁層が露出するまで前記導電層を化学的機械研磨によって研磨し、前記溝パターン内に当該導電層からなる埋め込み配線を形成する工程と、を行うことを特徴とする埋め込み配線の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304
FI (4件)：
H01L 21/88 K ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/88 B
引用特許：
審査官引用 (7件)
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