特許
J-GLOBAL ID：200903076970852958
半導体装置の製造方法及び製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
井上 一
, 布施 行夫
, 大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-385417
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150373
出願日： 2003年11月14日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】 半導体装置の製造方法及び製造装置に関して、信頼性の向上を図ることにある。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、(a)半導体チップが実装される第1の領域と第1の領域の周囲の第2の領域とを有する配線基板であって、第1の領域から第2の領域に延びる端子が一方の面に形成されてなる配線基板の他方の面に、端子にオーバーラップし、かつ、第1の領域から第2の領域に一部がはみ出すように補強部材を設けること、(b)配線基板における補強部材の面側から打ち抜くことによって、第1の領域と第2の領域との境目に沿って、補強部材の内側から外側に連続的に切断すること、(c)配線基板における補強部材の面側から打ち抜くことによって、第1の領域と第2の領域との境目に沿って、端子を切断すること、を含む。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
(a)半導体チップが実装される第1の領域と前記第1の領域の周囲の第2の領域とを有する配線基板であって、前記第1の領域から前記第2の領域に延びる端子が一方の面に形成されてなる配線基板の他方の面に、前記端子にオーバーラップし、かつ、前記第1の領域から前記第2の領域に一部がはみ出すように補強部材を設けること、
(b)前記配線基板における前記補強部材の面側から打ち抜くことによって、前記第1の領域と前記第2の領域との境目に沿って、前記補強部材の内側から外側に連続的に切断すること、
(c)前記配線基板における前記補強部材の面側から打ち抜くことによって、前記第1の領域と前記第2の領域との境目に沿って、前記端子を切断すること、
を含む半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (2件)
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