PVD・CVD両用成膜装置及び当該装置を用いた成膜方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安田敏雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-358471
公開番号（公開出願番号）：特開2004-190082
出願日： 2002年12月10日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】本発明は、PVD装置からCVD装置への膜付着を防止し、CVD装置の動作に影響を与えないようにしたPVD・CVD両用成膜装置を提供すること、及び、当該装置を用いて生産性を高めた成膜方法を提供することである。【解決手段】真空チャンバ1内に基体2とPVD装置3とCVD装置4とが配置され、前記基体2に対してPVD成膜28とCVD成膜27とを行えるようにしたPVD・CVD両用成膜装置において、前記PVD装置3からの蒸発物質が前記CVD装置4に付着することを防止する遮蔽装置9が設けられた。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

真空チャンバ内に基体とPVD装置とCVD装置とが配置され、前記基体に対してPVD成膜とCVD成膜とを行えるようにしたPVD・CVD両用成膜装置において、前記PVD装置からの蒸発物質が前記CVD装置に付着することを防止する遮蔽装置が設けられたことを特徴とするPVD・CVD両用成膜装置。

IPC (3件)：

C23C14/22 , C23C16/44 , H01L21/31

FI (3件)：

C23C14/22 Z , C23C16/44 B , H01L21/31 A

Fターム (29件)：

4K029BA34 , 4K029BA46 , 4K029BB02 , 4K029CA05 , 4K029DA01 , 4K029DA10 , 4K029KA00 , 4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030BA28 , 4K030BA44 , 4K030BB13 , 4K030FA01 , 4K030GA05 , 4K030HA02 , 4K030KA30 , 4K030KA49 , 5F045AA08 , 5F045AA18 , 5F045AB07 , 5F045AB31 , 5F045AB39 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AF14 , 5F045BB09 , 5F045BB14 , 5F045EB02 , 5F045HA22

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-298153
薄膜形成装置および薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-202882 出願人：株式会社シンクロン
プラズマ成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-235989 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロンエフイー株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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