特許
J-GLOBAL ID:200903077054783041
半導体装置の製造方法に用いる接着シート及び当該方法より得られる半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-270166
公開番号(公開出願番号):特開2009-081440
出願日: 2008年10月20日
公開日(公表日): 2009年04月16日
要約:
【課題】 従来の製造工程を変更することなく、高信頼性の半導体装置を製造することが可能な半導体装置の製造方法、当該方法に使用する接着シート及び当該方法により得られる半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体素子13を被着体11上に接着シート12を介して仮固着する仮固着工程と、前記半導体素子13にワイヤーボンディングをするワイヤーボンディング工程と、前記半導体素子13を封止樹脂15により封止する工程とを含み、前記接着シート12の175°Cでの損失弾性率が2000Pa以上であることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体素子を被着体上に接着シートを介して仮固着する仮固着工程と、
前記半導体素子にワイヤーボンディングをするワイヤーボンディング工程と、
前記半導体素子を封止樹脂により封止する工程とを含み、
前記接着シートとして175°Cでの損失弾性率が2000Pa以上のものを使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件):
H01L 21/52
, C09J 7/00
, C09J 201/00
, C09J 133/00
, C09J 163/00
, C09J 161/06
, H01L 21/56
FI (7件):
H01L21/52 E
, C09J7/00
, C09J201/00
, C09J133/00
, C09J163/00
, C09J161/06
, H01L21/56 R
Fターム (29件):
4J004AA02
, 4J004AA10
, 4J004AA12
, 4J004AA13
, 4J004AB05
, 4J004BA02
, 4J004FA05
, 4J004FA08
, 4J040DF001
, 4J040DF021
, 4J040EB032
, 4J040EC001
, 4J040EC061
, 4J040EC071
, 4J040JA09
, 4J040JB02
, 4J040KA16
, 4J040NA20
, 4J040PA23
, 5F047AA11
, 5F047AA17
, 5F047BA23
, 5F047BA37
, 5F047BB03
, 5F061AA01
, 5F061BA01
, 5F061BA04
, 5F061BA07
, 5F061CB03
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)