半導体集積回路装置の量産方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-245143
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068463
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】半導体量産プロセスにおいて、遷移金属によるウエハの汚染を防止する。【解決手段】本発明の半導体集積回路装置の量産方法は、ウエハプロセスを流れる各ウエハに対して、Ru膜の堆積処理を行う工程と、前記Ru膜が堆積された前記各ウエハに対して、前記各ウエハのデバイス面の外縁部または裏面の前記Ru膜を、オルト過ヨウ素酸と硝酸とを含む水溶液を用いて除去する工程と、前記Ru膜が除去された前記各ウエハに対して、下層工程(ゲート絶縁膜形成前の初期素子形成工程および配線工程)群に属する複数枚のウエハと共用関係にあるリソグラフィ工程、検査工程または熱処理工程を実行する工程とを有している。

請求項（抜粋）：

以下の工程からなる半導体集積回路装置の量産方法;(a)ウエハプロセスを流れる各ウエハに対して、遷移金属含有膜の堆積処理を行う工程、(b)前記遷移金属含有膜が堆積された前記各ウエハに対して、そのデバイス面の外縁部または裏面の前記遷移金属含有膜を除去する工程、(c)前記遷移金属含有膜が除去された前記各ウエハに対して、下層工程群に属する複数枚のウエハと共用関係にあるリソグラフィ工程、検査工程または熱処理工程を実行する工程。

IPC (3件)：

H01L 21/308 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 21/308 E , H01L 27/10 621 B , H01L 27/10 651

Fターム (33件)：

5F043AA22 , 5F043AA26 , 5F043BB18 , 5F043EE22 , 5F043EE23 , 5F043EE33 , 5F043GG04 , 5F043GG10 , 5F083AD10 , 5F083AD42 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083GA25 , 5F083JA06 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083KA20 , 5F083MA03 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083PR01 , 5F083PR03 , 5F083PR05 , 5F083PR07 , 5F083PR29 , 5F083PR40 , 5F083ZA20

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭62-264626
エッチング除去方法および装置と洗浄方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-068898 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-336967 出願人：株式会社東芝

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