特許
J-GLOBAL ID:200903077374166806

半導体装置、該半導体装置の製造方法、LEDヘッド、及び画像形成装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 幸男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-105971
公開番号(公開出願番号):特開2008-263126
出願日: 2007年04月13日
公開日(公表日): 2008年10月30日
要約:
【課題】 基板、及び、基板上に積層される半導体素子を含む半導体薄膜層103とを備える半導体装置に於いて、半導体素子が発生する熱を効率的に外部へ放散し、半導体装置の温度上昇を防止し、半導体装置の動作特性を向上させ、安定的な動作を維持すること。【解決手段】 上記基板として金属基板101を用い、該金属基板101と半導体薄膜層103との間に表面コーティング層102として、熱伝導率が高く、且つ絶縁性が良いダイヤモンドライクカーボン層102aを備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板と、該基板上に積層される半導体素子を含む半導体薄膜層とを備える半導体装置であって、 前記基板と、前記半導体薄膜層との間にダイヤモンドライクカーボン層を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件):
H01L 33/00
FI (1件):
H01L33/00 N
Fターム (10件):
5F041AA33 ,  5F041CA04 ,  5F041CA36 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB22 ,  5F041DA19 ,  5F041DA33 ,  5F041DA35
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • LED面発光装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-135117   出願人:関西ティー・エル・オー株式会社
審査官引用 (6件)
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