特許
J-GLOBAL ID：200903077474908672

非晶質炭素膜成形体及びその製造方法

発明者：
岩村 栄治

岩村 栄治 について


出願人/特許権者：
独立行政法人 科学技術振興機構

独立行政法人 科学技術振興機構 について


代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-082053
公開番号（公開出願番号）：特開2004-284915
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
【課題】非晶質炭素膜の機械的強度もしくは化学的安定性を劣化させることなく、導電性を付与することができる非晶質炭素膜成形体及びその製造方法を提供する。【解決手段】グラファイト構造を有するクラスターを、炭素の非晶質ネットワークを主体とする薄膜構造中に内包することを特徴とする非晶質炭素膜成形体であって、金属元素を添加した非晶質炭素膜に低エネルギーの電子線を照射することにより製造する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
低エネルギー電子線照射によって形成されるグラファイト構造を有するクラスターを、炭素の非晶質ネットワークを主体とする薄膜構造中に内包することを特徴とする非晶質炭素膜成形体。
IPC (3件)：
C01B31/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58
FI (3件)：
C01B31/02 101A ,  C23C14/06 F ,  C23C14/58 C
Fターム (24件)：
4G146AA02 ,  4G146AA16 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16A ,  4G146AC16B ,  4G146AC20B ,  4G146AD02 ,  4G146AD24 ,  4G146AD25 ,  4G146BA02 ,  4G146BC10 ,  4G146BC31A ,  4G146CB16 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA34 ,  4K029BB10 ,  4K029BC02 ,  4K029BC03 ,  4K029BD00 ,  4K029BD11 ,  4K029CA05 ,  4K029DC15 ,  4K029GA00
引用特許：
審査官引用 (6件)
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