特許
J-GLOBAL ID：200903077489379099
メモリセル装置及びその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-322253
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153599
出願日： 1996年11月18日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：
【要約】【課題】 ギガビットDRAM及び不揮発メモリに適し、公知の解決方法に比べて処理経費を節減して製造可能のメモリセル装置及びこのようなメモリセル装置の製造方法を提供する。【解決手段】 積層コンデンサを有するメモリセル装置内に強誘電性又は常誘電性のメモリ誘電体を有する縦形メモリコンデンサを使用する。メモリコンデンサの製造に全面的にメモリ誘電体用誘電層11を形成する。引続きこの誘電層11を構造化し、メモリコンデンサ用の第1の電極13及び第2の電極16を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体層構造内にそれぞれ選択トランジスタとメモリコンデンサを含んでいる多数の個別のメモリセルが備えられており、互いに横方向にほぼ平行に延びているビット線(6)と、ほぼ垂直方向に延びているワード線(5)が備えられており、少なくとも選択トランジスタが絶縁層(8)の下方に配設されており、メモリコンデンサ(13、11、16)が絶縁層(8)上に配設されており、メモリコンデンサがそれぞれ第1の電極(13)、メモリ誘電体(11)及び第2の電極(16)を含んでおり、メモリ誘電体(11)が強誘電性又は常誘電性物質を含んでおり、第1の電極(13)、メモリ誘電体(11)及び第2の電極(16)がそれぞれ互いに並列に絶縁層(8)の上方に配設されていることを特徴とするメモリセル装置。
IPC (4件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 621 B
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
