特許
J-GLOBAL ID：200903077617823282
シリコンとの貴金属電極接点のための方法、材料、および構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-151230
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074484
出願日： 1998年06月01日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 高誘電率誘電材料を含むキャパシタ、または強誘電材料を含む強誘電メモリ要素を製作する際の問題、すなわち、誘電体の高温(400〜700°C)付着および処理中に、一方の方向に電極を通ってシリコンが拡散し、他方の方向に電極を通って酸素が拡散する問題を克服する。【解決手段】 貴金属ケイ化物と、貴金属と、貴金属ケイ化物と貴金属との間の酸素を多量に含有する障壁層を組み込んだ層構造について記載する。貴金属ケイ化物に加えて、または貴金属ケイ化物なしに、シリコン寄与基板も存在することができる。
請求項（抜粋）：
貴金属ケイ化物と、貴金属と、前記貴金属と前記貴金属ケイ化物との間の酸素を多量に含有する障壁層とを含み、前記酸素を多量に含有する障壁層が、シリコン拡散に対する障壁として機能し、前記貴金属の付着の後に形成される、複合層構造。
IPC (3件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/10 451
H01L 27/10 621 B
, H01L 27/10 451
, H01L 27/10 651
