特許
J-GLOBAL ID：200903077642155537
荷電粒子線を用いた回路パターン用基板検査装置および基板検査方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-352539
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151483
出願日： 2001年11月19日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：
【要約】【課題】 荷電粒子線を用いて、半導体製造工程途中の回路パターンを持つウエハ上の欠陥の位置や種類を検査する方法において、半導体装置の回路パターンの接合の種類や材料によらず、高感度な検査を行ない、検出された欠陥の種類を区別して検出する。さらに、回路パターンの異常な帯電を防ぎ、電子線照射領域を均一に、所望の帯電電圧に制御する。これにより、半導体製造工程の早期立ち上げや早期不良対策を行ない、半導体装置の信頼性および生産性を高める。【解決手段】 荷電粒子源10からの荷電粒子線を用いて、半導体製造工程途中の回路パターンを持つウエハ上の欠陥の位置や種類を検査において、試料台3に載置された基板の回路パターンの接合に光源17からの光線を照射すると同時に荷電粒子線を照射し回路パターンの種類や材料によらず、画像のコントラストにより高感度に検査を行う。
請求項（抜粋）：
荷電粒子源からの一次荷電粒子線を回路パターンが形成された基板に照射・走査する工程と、回路パターン基板に光を照射する工程と、回路パターン基板からの二次荷電粒子を検出する工程と、検出した信号のコントラスの変化から回路パターンの導通・非導通を検査する工程と、を具備したことを特徴とする荷電粒子線を用いた回路パターン用基板検査方法。
IPC (4件)：
H01J 37/28
, G01N 23/225
, H01L 21/027
, H01L 21/66
H01J 37/28 A
, G01N 23/225
, H01L 21/66 J
, H01L 21/30 502 V
2G001AA03
, 2G001BA07
, 2G001CA03
, 2G001HA13
, 2G001KA03
, 2G001LA11
, 2G001MA05
, 4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106BA03
, 4M106CA39
, 4M106DB05
, 4M106DB18
, 5C033TT08
