特許
J-GLOBAL ID：200903077706850412
ポリシリコン半導体層の酸化膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-145448
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316423
出願日： 1995年05月18日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】Si基板に半導体素子を形成する際に、ポリシリコン(p-Si)層と単結晶Si層とがそれぞれ露出している部分に酸化膜を同時に形成する場合、各酸化膜の厚さを独立して制御できるようにすること。【構成】p-Si層1と単結晶Si層7とが露出している部分に酸化膜を形成する工程で、酸化を実施する直前に、p-Si層のみを窒化させる窒化工程を実施し、続けて酸化膜形成工程を実施する。窒化工程は、Si基板を窒素(N2)雰囲気に所定時間、所定温度で暴露させる。p-Si層とSi層とでは窒化されるレートが異なり、p-Si層のみが窒化される。また、暴露させる時間を調節して、p-Si層の窒化膜の厚さを制御する。続けて実施される酸化膜形成工程でp-Si層の酸化膜が形成されるレートが低下するので、酸化膜の厚さを薄くすることができ、p-Si層の酸化膜3の厚さを制御させることができる。
請求項（抜粋）：
ポリシリコン半導体層の表面に酸化膜を形成する方法において、前記ポリシリコン半導体層を窒化処理した後、酸化処理を行うことで、酸化膜の厚さを制御することを特徴とするポリシリコン半導体層の酸化膜形成方法。
IPC (4件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/316
, H01L 21/318
H01L 27/04 C
, H01L 21/316 S
, H01L 21/318 C
