プラズマ処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：日向寺雅彦 , 松山允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-245204
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087676
出願日： 2002年08月26日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】被処理物の表面において均一なプラズマ処理が可能なプラズマ処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】チャンバ(10)内においてプラズマ(P)を形成し、前記プラズマにより生成されるプラズマ生成物(A)を被処理物(W)の表面に作用させることによりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、前記被処理物の前記表面に向けて拡散する前記プラズマ生成物が形成される空間の一部を遮蔽する遮蔽体(40)を備えたプラズマ処理装置を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チャンバ内においてプラズマを形成し、前記プラズマにより生成されるプラズマ生成物を被処理物の表面に作用させることによりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、前記被処理物の前記表面に向けて拡散する前記プラズマ生成物が形成される空間の一部を遮蔽する遮蔽体を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L21/3065 , B01J19/08 , H01L21/31 , H05H1/46

FI (5件)：

H01L21/302 101D , B01J19/08 E , B01J19/08 H , H01L21/31 C , H05H1/46 A

Fターム (31件)：

4G075AA24 , 4G075AA30 , 4G075BA05 , 4G075BC06 , 4G075BC10 , 4G075CA02 , 4G075CA03 , 4G075CA26 , 4G075DA02 , 4G075EA05 , 4G075EB01 , 4G075EB42 , 4G075EC09 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030KA12 , 4K030KA22 , 4K030KA26 , 5F004AA01 , 5F004BA20 , 5F004BB18 , 5F004BD01 , 5F004BD03 , 5F004BD04 , 5F004CA09 , 5F045AA08 , 5F045BB01 , 5F045DP02 , 5F045EH19 , 5F045EJ01

引用特許：

審査官引用 (12件)

ドライエッチング方法及びドライエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-215320 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開平4-144130
特開平3-197685

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