プラズマCVD方法及びプラズマCVD装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-197780
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039993
出願日： 2002年07月05日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】常圧下において金属含有薄膜を、産業上利用可能な成膜速度で形成できるようにし、さらにメンテナンス間隔の伸長をはかる。【解決手段】常圧でプラズマ空間Pを発生させる電極2,3と、そのプラズマ空間Pに反応ガスを供給する反応ガス供給源7と、プラズマ空間Pを通過した反応ガスの吹出口1b近傍に金属含有ガスを供給する金属含有ガス供給源8と、プラズマ空間Pを通過した反応ガスと金属含有ガスの合流ガスが流れる方向を排気制御する排気機構9を設け、プラズマ空間Pを通過した反応ガスと、プラズマ励起を行わない金属含有ガスとを合流させ、その合流ガスを基材Sの被処理面に接触させて成膜を行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属含有ガスとその金属含有ガスと反応する反応ガスを用いるプラズマCVD方法であって、前記反応ガスを大気圧近傍の圧力条件で発生させたプラズマ空間を通過させ、そのプラズマ空間通過後の反応ガスに前記金属含有ガスを合流させ、この合流ガスを基材に接触させることを特徴とするプラズマCVD方法。

IPC (6件)：

H01L21/31 , B01J19/08 , C23C16/453 , C23C16/50 , H01L21/316 , H05H1/24

FI (6件)：

H01L21/31 C , B01J19/08 H , C23C16/453 , C23C16/50 , H01L21/316 X , H05H1/24

Fターム (42件)：

4G075AA24 , 4G075AA62 , 4G075BC04 , 4G075BD01 , 4G075CA24 , 4G075CA25 , 4G075CA26 , 4G075DA02 , 4G075EB42 , 4G075EC09 , 4G075EC21 , 4G075ED13 , 4G075FB02 , 4G075FB04 , 4G075FB06 , 4G075FB12 , 4G075FC15 , 4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030EA03 , 4K030FA01 , 4K030GA04 , 4K030KA30 , 4K030KA49 , 4K030LA15 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AD07 , 5F045AE29 , 5F045AF03 , 5F045BB09 , 5F045DP03 , 5F045DP27 , 5F045EH00 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BF07 , 5F058BF80

引用特許：

審査官引用 (6件)

放電プラズマ処理方法及び放電プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-154220 出願人：積水化学工業株式会社
放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-248043 出願人：積水化学工業株式会社
特開平3-219082

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