特許
J-GLOBAL ID：200903077802721224
半導体ウエハの評価方法および半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-024672
公開番号（公開出願番号）：特開2004-233279
出願日： 2003年01月31日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】半導体ウエハの表面から10μm以内の極表層における、0,02μm以下のサイズの欠陥を正確に評価する。【解決手段】半導体ウエハの評価方法は、半導体ウエハに波長が800nm以下の励起光を照射する工程と、励起光の照射により半導体ウエハから生じるフォトルミネッセンス光のスペクトルを測定する工程と、フォトルミネッセンス光のスペクトルからバンド端発光の強度を抽出して、半導体ウエハにおけるバンド端発光の強度分布を取得する工程と、ハンド端発光の強度分布から、半導体ウエハ表層における欠陥を評価する工程とを含む。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
半導体ウエハに波長800nm以下の励起光を照射して、前記半導体ウエハから生じるフォトルミネッセンス光のスペクトルを測定する工程と、
前記フォトルミネッセンス光のスペクトルからバンド端発光の強度を抽出して、前記半導体ウエハにおけるバンド端発光の強度分布を取得する工程と、
前記ハンド端発光の強度分布から、前記半導体ウエハ表層における欠陥を評価する工程と
を含むことを特徴とする半導体ウエハの評価方法。
IPC (3件)：
G01N21/64
, G01N21/956
, H01L21/66
G01N21/64 Z
, G01N21/956 A
, H01L21/66 N
2G043AA03
, 2G043CA05
, 2G043DA06
, 2G043JA01
, 2G043KA01
, 2G043KA02
, 2G043KA03
, 2G043KA05
, 2G043KA09
, 2G043LA01
, 2G043NA06
, 2G051AA51
, 2G051AB06
, 2G051BA04
, 2G051CA01
, 2G051CC15
, 2G051EC02
, 4M106AA01
, 4M106BA05
, 4M106CB19
, 4M106DH12
, 4M106DH32
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (9件)
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