特許
J-GLOBAL ID：200903099392338790

半導体ウェーハの内部欠陥測定方法、半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハの内部欠陥測定装置

発明者：
吉田 知佐

吉田 知佐 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-339690
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151560
出願日： 2000年11月07日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】【課題】 強酸などの化学薬品が不要であり、かつ低抵抗率の半導体ウェーハにおいても内部欠陥を高感度にて測定することができる半導体ウェーハの内部欠陥測定方法。【解決手段】 半導体ウェーハ1に、該半導体ウェーハ1の内部を露出させる測定断面IPを形成し、欠陥検出用の入射光ビームLBを該測定断面IPに入射し、その入射光ビームLBに基づく測定断面IPからの応答光DBを検出して、そのDBの情報に基づいて半導体ウェーハ1の内部に存在する欠陥の測定を行なう。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハに、該半導体ウェーハの内部を露出させる測定断面を形成し、欠陥検出用の入射光ビームを該測定断面に入射し、その入射光ビームに基づく前記測定断面からの応答光を検出して、その応答光の情報に基づいて前記半導体ウェーハの内部に存在する欠陥の測定を行なうことを特徴とする半導体ウェーハの内部欠陥測定方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66 ,  G01B 11/30 ,  G01N 21/47 ,  G01N 21/63
FI (4件)：
H01L 21/66 N ,  G01B 11/30 H ,  G01N 21/47 Z ,  G01N 21/63 Z
Fターム (60件)：
2F065AA49 ,  2F065BB03 ,  2F065CC19 ,  2F065FF44 ,  2F065FF67 ,  2F065GG04 ,  2F065GG21 ,  2F065HH04 ,  2F065HH12 ,  2F065JJ01 ,  2F065JJ08 ,  2F065JJ17 ,  2F065JJ18 ,  2F065MM02 ,  2F065PP12 ,  2F065QQ03 ,  2F065QQ05 ,  2F065QQ23 ,  2F065QQ52 ,  2F065TT07 ,  2G043AA03 ,  2G043CA05 ,  2G043EA01 ,  2G043GA07 ,  2G043GB19 ,  2G043KA01 ,  2G043KA02 ,  2G043KA09 ,  2G043LA01 ,  2G043LA02 ,  2G043NA06 ,  2G059AA05 ,  2G059BB16 ,  2G059DD13 ,  2G059EE02 ,  2G059FF03 ,  2G059GG01 ,  2G059HH01 ,  2G059HH02 ,  2G059KK01 ,  2G059KK02 ,  2G059KK04 ,  2G059KK07 ,  2G059MM05 ,  2G059MM10 ,  4M106AA01 ,  4M106BA04 ,  4M106BA05 ,  4M106BA08 ,  4M106CB19 ,  4M106CB20 ,  4M106DH12 ,  4M106DH13 ,  4M106DH32 ,  4M106DH50 ,  4M106DH57 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ11 ,  4M106DJ21 ,  4M106DJ23
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (9件)
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