特許
J-GLOBAL ID：200903078017620090
リソグラフィックテンプレート
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑垣 衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-577647
公開番号（公開出願番号）：特表2005-508075
出願日： 2002年02月27日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
本発明は、半導体装置、超小型電子装置、超小型電子機械装置、超小型流体装置に関し、特にリソグラフィックテンプレート、リソグラフィックテンプレートを形成する方法、及びリソグラフィックテンプレートでこれらの装置を形成する方法に関するものである。リソグラフィックテンプレート(20,30,42)は、基板(22,32)と、最上層表面にエッチングパターンまたはレリーフ画像(26,36,48)が形成されたテンプレート台(24,34)を設けることにより形成される。テンプレート(20,30,42)は、半導体装置(44)の製造に、装置(44)のパターンに影響を与える形で使用される。すなわち、装置(44)のパターンは、光照射反応材料(50)をその上に有する半導体装置(44)に極めて近接してテンプレート(20,30,42)を位置させ、圧力(52)を加えて光照射反応材料(50)をテンプレート(42)上に在るレリーフ画像(48)に流れ込ませることにより変形する。次に、テンプレート(42)を通して光照射(53)が行なわれ、光照射反応材料(50)の一部をさらに硬化させ、光照射反応材料(50)にさらにパターンを画定させる。次に、テンプレート(20,30,42)が取り外されて半導体装置(44)の製造が完了する。
請求項（抜粋）：
最上層表面を有する基板を設ける工程と、前記最上層表面の上に画定されるテンプレート台を設ける工程とからなり、前記テンプレート台の最上層表面にはエッチングパターンが形成されるリソグラフィックテンプレートの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 502D
, G03F7/20 521
