低誘電率絶縁材料とそれを用いた半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：福田賢三 , 福田伸一 , 福田武通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-315923
公開番号（公開出願番号）：特開2005-085962
出願日： 2003年09月08日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：

【課題】低誘電率絶縁膜を多層配線の層間絶縁膜として用いる半導体装置について、従来低誘電率層間絶縁膜やCu配線をLSIの多層配線に使用しようとすると、ハードマスク、Cuの拡散障壁層、エッチング・ストッパーと呼ばれる付加的な薄膜を必要とし、これらの材料の比誘電率が高く、比誘電率の低い低誘電率層間絶縁膜を用いても実効的比誘電率が高くなるという課題があった。【解決手段】低誘電率絶縁膜として、また、低誘電率層間絶縁膜やCu配線をLSIの多層配線に使用する際に必要なハードマスク、Cuの拡散障壁層、エッチング・ストッパーの材料として、少なくともホウ素と窒素元素から成る六員環構造のボラジン環を有する材料を用いることにより上記の付加的な薄膜を必要としないことから、多層配線間の寄生容量を抑制して、ULSIの高速化を図ることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電気配線間の絶縁層に用いるものであって、 R1はアルキル基を示し、 R2はメチレン基を示し、 R3はアセチレン基に結合したアルキル基を示し、 R4およびR5はアルキル基、アリール基、アラルキル基または水素原子の中から選ばれる同一あるいは相異なる1価の基を示し、 R6は置換基を有していても良い芳香族の2価の基、酸素原子、または、オキシポリ(ジメチルシロキシ)基等のシロキサンで表されるものを示し、 R7はアルキル基、アリール基、またはアラルキル基を示すものとするとき、ボラジン環の窒素原子にアルキル基を有し、ホウ素原子にアルキル基で置換された三重結合を含む有機基を有し、化1で示すボラジン化合物であって、ホウ素原子には、直接アセチレン基が結合しているか、あるいは、R2とR2が連なったものとが結合した化合物と、少なくとも2個以上のヒドロシリル基を有し、化2で示すケイ素化合物、あるいは、少なくとも2個以上のヒドロシリル基を有し、化3で示す環状ケイ素化合物と、の、ハイドロシリレーション重合によって得られたボラジン・シリコンポリマーからなる層間絶縁材料。

IPC (5件)：

H01L21/312 , C08G77/48 , C08G77/60 , C08G79/08 , H01L21/768

FI (5件)：

H01L21/312 A , C08G77/48 , C08G77/60 , C08G79/08 , H01L21/90 S

Fターム (86件)：

4J030CA02 , 4J030CB17 , 4J030CC07 , 4J030CD11 , 4J030CE02 , 4J030CE11 , 4J030CF06 , 4J030CG04 , 4J246AA07 , 4J246AA11 , 4J246AB01 , 4J246BA02X , 4J246BA020 , 4J246BB02X , 4J246BB020 , 4J246BB15X , 4J246BB150 , 4J246BB200 , 4J246BB34X , 4J246BB340 , 4J246BB40X , 4J246BB400 , 4J246CA01X , 4J246CA010 , 4J246CA24X , 4J246CA240 , 4J246FA221 , 4J246FC161 , 4J246GC02 , 4J246GC12 , 4J246GC53 , 4J246GD08 , 4J246HA63 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ12 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR15 , 5F033RR21 , 5F033RR23 , 5F033RR25 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT03 , 5F033TT04 , 5F033XX24 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AD05 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02

引用特許：

出願人引用 (8件)

特許第2968244号公報
ホウ素含有ポリマー組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-119620 出願人：株式会社日本触媒
特許第3041424号公報

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審査官引用 (4件)

ボラジン系樹脂の製造方法、ボラジン系樹脂組成物、絶縁被膜及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-317573 出願人：日立化成工業株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-182975 出願人：三菱電機株式会社
低誘電率ボラジン-ケイ素系高分子からなる層間絶縁膜及びこれにより構成された半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-071333 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 三菱電機株式会社

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