特許
J-GLOBAL ID:200903078081035843

ピエゾ素子と電極との接合方法及び該接合方法を使用したピエゾマイクロアクチュエータ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松本 昂
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-335867
公開番号(公開出願番号):特開2002-141576
出願日: 2000年11月02日
公開日(公表日): 2002年05月17日
要約:
【要約】【課題】 ピエゾ素子と電極との間の接合を確実に達成できる接合方法を提供することである。【解決手段】 ピエゾ素子と電極との接合方法であって、ピエゾ素子の接合面にAu,Al,Zn,Cu及びSnからなる群から選択される物質の第1の被膜を形成し、電極の接合面にAu,Al,Zn,Cu及びSnからなる群から選択される物質の第2の被膜を形成する。第1及び第2の被膜の組合せはAu/Au,Au/Al,Zn/Cu又はSn/Cuの何れかである。第1及び第2の被膜を密着させて加圧しながら加熱することにより、第1及び第2の被膜の金属接合又は金属間化合物を形成することにより、ピエゾ素子と電極とを接合する。
請求項(抜粋):
ピエゾ素子と電極との接合方法であって、ピエゾ素子の接合面にAu,Al,Zn,Cu及びSnからなる群から選択される物質の第1の被膜を形成し、電極の接合面にAu,Al,Zn,Cu及びSnからなる群から選択される物質の第2の被膜を形成し、前記第1及び第2の被膜を密着させて加圧しながら加熱することにより、該第1及び第2の被膜の金属接合又は金属間化合物を形成する、ステップを具備したことを特徴とするピエゾ素子と電極との接合方法。
IPC (5件):
H01L 41/22 ,  G11B 5/596 ,  G11B 21/10 ,  G11B 21/21 ,  H01L 41/09
FI (5件):
G11B 5/596 ,  G11B 21/10 N ,  G11B 21/21 C ,  H01L 41/22 Z ,  H01L 41/08 L
Fターム (9件):
5D042LA01 ,  5D042MA15 ,  5D059AA01 ,  5D059BA01 ,  5D059CA18 ,  5D059DA19 ,  5D059EA08 ,  5D096NN03 ,  5D096NN07
引用特許:
審査官引用 (11件)
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