電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲垣清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-358904
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183077
出願日： 1998年12月17日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 0.25μm以下のゲート長を有し、低ゲート抵抗、低ゲート容量を維持しつつ、ゲート横に支えのある機械的強度の強いゲート電極を備えたヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】本ヘテロ接合型電界効果トランジスタは、電極上部2aと、電極上部の下面2dから下方に延在し、半導体基板に平行な横断面積が電極上部より小さい電極下部2b、2cとを有する、T型ゲート電極2を備えている。電極下部が、半導体基板1上に設けられた絶縁膜3を貫通して半導体基板に電気的に接続され、電極上部は、電極上部の下面が絶縁膜の上面に対して離隔し、絶縁膜との間に空間を有するように、絶縁膜の上方に設けられている。

請求項（抜粋）：

電極上部と、電極上部の下面から下方に延在し、半導体基板に平行な横断面積が電極上部より小さい電極下部とを有する、T型ゲート電極を備える電界効果トランジスタにおいて、電極下部が、半導体基板上に設けられた絶縁膜を貫通して半導体基板に電気的に接続され、電極上部は、電極上部の下面が絶縁膜の上面に対して離隔し、絶縁膜との間に空間を有するように、絶縁膜の上方に設けられていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

Fターム (16件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GL04 , 5F102GM06 , 5F102GN05 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GS02 , 5F102GS04 , 5F102GT03 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC17

引用特許：

審査官引用 (11件)

電界効果トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-067267 出願人：株式会社東芝
電界効果型トランジスタのゲート電極及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-166393 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-244184 出願人：日本電気株式会社

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