半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：工藤実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-288056
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111968
出願日： 1997年10月03日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】不純物の混入によるドナーの不活性化に基づく熱的不安定性を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数の半導体層からなる半導体積層構造を形成するステップと、前記半導体積層構造は、第1の層とキャリアを供給するための第2の層とを含み、前記半導体積層構造上に第1の電極構造を形成するステップと、及び電界ストレスにより第2の層内の負イオン化した不純物を第1の層に移動させるステップとを具備する。

請求項（抜粋）：

複数の半導体層からなる半導体積層構造を形成するステップと、前記半導体積層構造は、第1の層とキャリアを供給するための第2の層とを含み、前記半導体積層構造上に第1の電極構造を形成するステップと、及び電界ストレスにより第2の層内の負イオン化した不純物を第1の層に移動させるステップとを具備する半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/265 , H01L 27/10 451

FI (3件)：

H01L 29/80 H , H01L 27/10 451 , H01L 21/265 Z

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-170103 出願人：富士通株式会社
半導体装置の製造方法、及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-215843 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-051977 出願人：株式会社東芝

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