特許
J-GLOBAL ID：200903076945136067
誘電体素子、強誘電体メモリおよびその動作方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-153389
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003976
出願日： 1997年06月11日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】 良好な素子特性および高い信頼性を有し、低電圧で動作可能な誘電体素子、強誘電体メモリおよびその動作方法を提供することである。【解決手段】 シリコン基板1の表面に所定間隔を隔ててソース領域4およびドレイン領域5が形成されている。ソース領域4とドレイン領域5との間のチャネル領域6上にゲート酸化膜2およびゲート電極3が形成され、ゲート電極3上に層間絶縁膜7を介して下部電極9が形成されている。下部電極9は配線層8を介してゲート電極3に接続されている。下部電極9上に強誘電体薄膜10および上部電極11が形成されている。上部電極11は異なる面積を有する電極部11A,11Bに分割されている。
請求項（抜粋）：
誘電体膜に接触する電極層が、異なる面積を有する複数の電極部に分割されたことを特徴とする誘電体素子。
IPC (7件)：
H01L 27/10 451
, G11C 11/22
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 451
, G11C 11/22
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
