特許
J-GLOBAL ID：200903078426124763

プラズマエッチング方法及びフォトマスクの製造方法

発明者：
米田 郁男

米田 郁男 について

, 
伊藤 信一

伊藤 信一 について

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金井 秀樹

金井 秀樹 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-110658
公開番号（公開出願番号）：特開2002-333702
出願日： 1996年05月20日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：
【要約】【課題】 プラズマエッチングによってマスク基板の表面にパターンを加工する際に、マスク基板の表面におけるエッチング速度の均一性を改善する。【解決手段】 表面に遮光膜12によるパターンが形成された石英基板11を反応性ガスプラズマを利用してエッチングする際、石英基板11の厚さを、当該石英基板11を透過する高周波電圧の透過率が80%以上になる様に設定する。なお、石英基板11の自重による撓みを抑えるため、エッチングの後、石英基板11の裏面に透光性の支持板116を接合する。
請求項（抜粋）：
表面に遮光膜、半透明膜あるいはレジストによるパターンが形成された透光性基板の、前記遮光膜、前記半透明膜あるいは前記透光性基板を反応性ガスプラズマを利用してエッチングする際に、前記透光性基板の厚さを、前記透光性基板を透過する高周波電圧の透過率が80%以上になる様に設定することを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (4件)：
G03F 1/14 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065
FI (5件)：
G03F 1/14 A ,  G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 L ,  H01L 21/302 105 A ,  H01L 21/30 502 P
Fターム (12件)：
2H095BB17 ,  2H095BC27 ,  2H095BC28 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004BC08 ,  5F004CA08 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DB00 ,  5F004EB07
引用特許：
審査官引用 (6件)
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