特許

J-GLOBAL ID：200903078471360168

窒化物半導体ウエハ又は窒化物半導体素子の製造方法、それにより得られる窒化物半導体ウエハ又は窒化物半導体素子、並びにそれに用いるレーザ照射装置

発明者： 野上 陽一
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (2件)： 河宮 治 ,  石井 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-210336
公開番号（公開出願番号）：特開2006-060200
出願日： 2005年07月20日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：

【課題】異種基板を剥離する工程を含む窒化物半導体ウエハ又は窒化物半導体素子の製造方法において、異種基板剥離時の窒化物半導体層の破断を抑制する方法を提供する。【解決手段】窒化物半導体と異なる異種基板16上に成長された窒化物半導体層18から、前記異種基板16-窒化物半導体層18界面に酸又はアルカリであるエッチング溶液を供給しながら、異種基板16側から前記窒化物半導体層18のバンドギャップ波長よりも短波長のレーザ光を照射することによって異種基板16の剥離を行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体と異なる異種基板上に成長された窒化物半導体層から、前記異種基板を剥離する工程を備えた窒化物半導体ウエハの製造方法であって、 前記異種基板の剥離を、前記異種基板-窒化物半導体界面に酸又はアルカリであるエッチング溶液を供給しながら、前記異種基板側から前記窒化物半導体層のバンドギャップ波長よりも短波長のレーザ光を照射して行うことを特徴とする窒化物半導体ウエハの製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/00 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/12 ,  B23K 26/073

FI (7件)：

H01L21/306 B ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 C ,  H01S3/00 B ,  B23K26/00 G ,  B23K26/12 ,  B23K26/073

Fターム (45件)：

4E068CD05 ,  4E068CH08 ,  4E068CJ07 ,  4E068DA10 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F043AA05 ,  5F043BB06 ,  5F043DD08 ,  5F043GG10 ,  5F152LL05 ,  5F152LN11 ,  5F152LN17 ,  5F152LN26 ,  5F152LN27 ,  5F152LN28 ,  5F152LN29 ,  5F152LN32 ,  5F152LN33 ,  5F152LN34 ,  5F152LN35 ,  5F152LN36 ,  5F152LP01 ,  5F152LP04 ,  5F152LP06 ,  5F152LP08 ,  5F152LP09 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152MM18 ,  5F152NN03 ,  5F152NN05 ,  5F152NN12 ,  5F152NN13 ,  5F152NN19 ,  5F152NN27 ,  5F152NP09 ,  5F152NP13 ,  5F152NP17 ,  5F152NQ09 ,  5F172ZZ01

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-256587   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-272286   出願人：株式会社東芝
• III族窒化物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-354572   出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩

審査官引用 (3件)

• 光励起エッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-016048   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-149513   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-149097   出願人：松下電器産業株式会社