半導体結晶の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-149097
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343717
出願日： 2001年05月18日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】基板と窒化物系化合物半導体結晶との格子不整合により生じる歪による、基板を除去した後に窒化物系化合物半導体結晶に形成されるそりを防止する。【解決手段】サファイア基板1の上に、GaN層2、AlGaN層3を順次形成した上で基板から分離することにより、GaN層2に蓄積されたそりを生じさせる応力がAlGaN層3によって相殺され、そりのない自立した窒化物系化合物半導体結晶を得ることができる。

請求項（抜粋）：

基板の上に前記基板と異なる材料からなる半導体結晶を成長する第1の工程と、前記半導体結晶を前記基板から分離する第2の工程とからなる半導体結晶の製造方法において、前記半導体結晶は前記基板に近い側から順に形成された少なくとも第1の半導体層と第2の半導体層を有し、前記第1の半導体層が成長中に前記基板から受ける応力の方向と前記第1の半導体層が前記第2の半導体層から受ける応力の方向が一致するように前記第1の半導体層と前記第2の半導体層を選定することを特徴とする半導体結晶の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205

Fターム (25件)：

5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB11 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045EB15 , 5F045HA18 , 5F052AA02 , 5F052BB02 , 5F052CA01 , 5F052DA04 , 5F052GC06 , 5F052JA05 , 5F052JA07 , 5F052KA01

引用特許：

審査官引用 (14件)

半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-272286 出願人：株式会社東芝
半導体部材の製造方法および半導体部材
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-310331 出願人：キヤノン株式会社
パルス・レーザによる基板表面薄膜の除去方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-120796 出願人：理化学研究所

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