特許
J-GLOBAL ID：200903078546631146

成膜方法、成膜装置及び記憶媒体、並びに半導体装置

発明者：
堀込 正弘

堀込 正弘 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-326041
公開番号（公開出願番号）：特開2008-140998
出願日： 2006年12月01日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：
例えば層間絶縁膜として使用されるフッ素添加カーボン膜について、弾性率及び機械的強度の大きいフッ素添加カーボン膜を得ること。【解決手段】処理容器内に基板を載置する載置台と周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材とを対向して設け、導波管からのマイクロ波を前記平面アンテナ部材を介して処理容器内に供給する。一方処理容器の上部からArガスなどのプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスの供給口とは異なる位置からC5F8ガスを供給することでこれらガスをプラズマ化し、更に載置台の上面の単位面積当たりに供給されるバイアス用の高周波電力が0.32W/cm2 以下となるように、前記載置部にバイアス用の高周波電力を印加する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板を処理容器内の載置部に載置する工程と、 処理容器内にその上部から、マイクロ波により励起されるプラズマ発生用のガスを供給する工程と、 処理容器内を真空排気する工程と、 プラズマ発生用のガスの供給口とは異なる供給口から処理容器内にC5F8ガスを供給する工程と、 処理容器の上部に載置部と対向して設けられ、周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材から処理容器内にマイクロ波を供給して処理容器内のガスをプラズマ化し、そのプラズマにより基板上にフッ素添加カーボン膜を成膜する工程と、 この工程が行われている間に、基板の単位面積当たりに供給されるバイアス用の高周波電力が0.32W/cm2 以下となるように、前記載置部にバイアス用の高周波電力を印加する工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。
IPC (7件)：
H01L 21/314 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/511 ,  C23C 16/26 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (7件)：
H01L21/314 A ,  H01L21/312 A ,  H01L21/31 C ,  C23C16/511 ,  C23C16/26 ,  H01L21/90 K ,  H01L21/90 P
Fターム (71件)：
4K030AA04 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA27 ,  4K030CA04 ,  4K030DA09 ,  4K030FA01 ,  4K030JA16 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR15 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS15 ,  5F033VV06 ,  5F033WW07 ,  5F033XX28 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045DQ14 ,  5F045EF05 ,  5F045EF07 ,  5F045EH02 ,  5F045EH20 ,  5F058AA10 ,  5F058AC05 ,  5F058AD06 ,  5F058AF02 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC14 ,  5F058BC20 ,  5F058BD18 ,  5F058BF08 ,  5F058BF26 ,  5F058BF34 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)

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