特許
J-GLOBAL ID：200903078569689257

ホトレジストパターンの形成方法およびホトレジスト積層体

発明者：
山崎 晃義

山崎 晃義 について

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本池 直人

本池 直人 について

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川名 大助

川名 大助 について

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佐藤 和史

佐藤 和史 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 長谷川 洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-369353
公開番号（公開出願番号）：特開2003-167352
出願日： 2001年12月03日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：
【要約】【課題】 特にパターン間距離が0.25μm以下の極微細なパターン形成において、上層反射防止膜を用いて、良好なプロフィルのホトレジストパターンを形成する方法を提供する。【解決手段】 露光により酸を発生する酸発生剤を含むホトレジスト膜を基板上に形成し、該ホトレジスト膜上に、フッ素系酸性化合物を含む反射防止膜を積層した後、選択的に露光後、現像し、ホトレジストパターンを形成する方法において、露光によりホトレジスト膜中に酸発生剤から発生した酸の酸強度が、反射防止膜中のフッ素系酸性化合物の酸強度よりも高くなるよう、上記酸発生剤とフッ素系酸性化合物を選択して用いることを特徴とする、ホトレジストパターンの形成方法。
請求項（抜粋）：
露光により酸を発生する酸発生剤を含むホトレジスト膜を基板上に形成し、該ホトレジスト膜上に、フッ素系酸性化合物を含む反射防止膜を積層した後、選択的に露光後、現像し、ホトレジストパターンを形成する方法において、露光によりホトレジスト膜中に酸発生剤から発生した酸の酸強度が、反射防止膜中のフッ素系酸性化合物の酸強度よりも高くなるよう、上記酸発生剤とフッ素系酸性化合物を選択して用いることを特徴とする、ホトレジストパターンの形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/11 501 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F 7/11 501 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 574
Fターム (13件)：
2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025DA34 ,  2H025DA40 ,  2H025FA17 ,  5F046PA07
引用特許：
審査官引用 (6件)
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