特許
J-GLOBAL ID：200903078759231370
半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-268786
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078204
出願日： 2001年09月05日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：
【要約】【課題】 光出射端面に窓領域を有する半導体レーザを精度良く容易に製造すること。【解決手段】 基板100上に少なくとも、下クラッド層101、レーザ光を発生する活性層102、第1上クラッド層103、エッチングストップ層104、第2上クラッド層106を積層する。エッチングストップ層104が第2上クラッド層106のためのエッチングを停止させる機能を維持する条件下で、レーザ光吸収抑制用の不純物を、光出射端面150を形成すべき領域に沿って第2上クラッド層106に拡散させる(第1アニール)。第2上クラッド層106をリッジ105状に残すように、エッチングストップ層104に達するまでエッチングする。第2上クラッド層106に拡散された上記不純物を、活性層102まで再拡散して、活性層102のうち光出射端面150に沿い、かつリッジ105直下の部分102Bを混晶化する(第2アニール)。
請求項（抜粋）：
光出射端面を通してレーザ光を出射する半導体レーザであって、基板上に、下クラッド層、レーザ光を発生する活性層、第1上クラッド層、エッチングストップ層がこの順に積層され、上記エッチングストップ層上に第2上クラッド層が上記光出射端面に対して垂直に延びるリッジとして形成され、上記第2上クラッド層の両側に相当する領域に電流阻止層が埋め込まれ、少なくとも上記リッジの下部にあたる上記エッチングストップ層から活性層までの上記光出射端面に沿った部分に、不純物が拡散されてレーザ光吸収を抑制するための混晶化が行われ、上記光出射端面に沿った領域で、上記エッチングストップ層のうち上記リッジの両側に相当する部分のエネルギバンドギャップが、上記エッチングストップ層のうち上記リッジの直下に相当する部分のエネルギバンドギャップよりも小さいことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (3件)：
H01S 5/16
, H01S 5/223
, H01S 5/343
H01S 5/16
, H01S 5/223
, H01S 5/343
5F073AA13
, 5F073AA51
, 5F073AA53
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073AA87
, 5F073CA14
, 5F073CB19
, 5F073DA06
, 5F073DA12
, 5F073DA23
, 5F073DA35
, 5F073EA28
