特許
J-GLOBAL ID：200903032928006586
半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-194277
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144383
出願日： 2000年06月28日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 再成長時にp型クラッド層の不純物が拡散し、n型に反転してしまい、プロファイルが一定しない。【解決手段】 n型の半導体基板上に、少なくとも、n型の第1クラッド層と、活性層と、p型の第2クラッド層とが積層され、上記第2クラッド層上に、ストライプ状かつ溝状の欠損部を有するn型の電流阻止層が積層され、上記ストライプ状の欠損部を含む上記電流阻止層上に少なくともp型の第3クラッド層が形成された半導体レーザ素子であって、上記第2クラッド層はCの不純物濃度がp型の3×1017cm-3〜2×1018cm-3であることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
n型の半導体基板上に、少なくとも、n型の第1クラッド層と、活性層と、p型の第2クラッド層とが積層された半導体レーザ素子であって、上記第2クラッド層はp型不純物として炭素を2×1017cm-3〜2×1018cm-3の濃度で含んでいることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (22件)：
5F045AA04
, 5F045AB10
, 5F045AB17
, 5F045AD11
, 5F045BB16
, 5F045CA12
, 5F045DA53
, 5F045DA59
, 5F073AA13
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073BA04
, 5F073CA05
, 5F073CB02
, 5F073CB19
, 5F073DA05
, 5F073DA15
, 5F073DA22
, 5F073DA31
, 5F073DA35
, 5F073EA23
, 5F073EA28
