誘電体素子およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮園博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-340045
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151657
出願日： 2000年11月08日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】酸化物系誘電体膜を焼結するための熱処理時に、下部電極よりも下方に位置する領域への酸素の拡散を有効に抑制することが可能な誘電体素子を提供する。【解決手段】酸素拡散を抑制する機能を有するIrSiN膜14を含む下部電極と、下部電極上に形成され、酸化物系誘電膜としてのSBT膜19と、下部電極以外の領域に配置され、酸素拡散を抑制する機能を有するSiN膜17とを備えている。

請求項（抜粋）：

酸素拡散を抑制する機能を有する第1導電膜を含む下部電極と、前記下部電極上に形成され、酸化物系誘電体膜を含む第1絶縁膜と、前記下部電極以外の領域に配置され、酸素拡散を抑制する機能を有する第2絶縁膜とを備えた、誘電体素子。

IPC (3件)：

H01L 27/105 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/10 444 B , H01L 27/10 621 Z , H01L 27/10 651

Fターム (17件)：

5F083AD21 , 5F083AD49 , 5F083FR02 , 5F083GA25 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA35 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083JA57 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083NA08 , 5F083PR33 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (6件)

キャパシタを有する半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-243745 出願人：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
誘電体キャパシタ及び誘電体メモリ装置と、これらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-122672 出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
薄膜キャパシタ及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-060616 出願人：株式会社東芝

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