特許
J-GLOBAL ID：200903078859246472
固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-079553
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268564
出願日： 2004年03月19日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】本発明は、安価にかつダイナミックレンジの低下を引き起こすことなく、残像特性の劣化を抑制する固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法に関する。【解決手段】固体撮像素子1は、第一導電型の基板領域3とともに光電変換部2を構成する第二導電型領域4の上層に、光電変換部2で光電変換された電荷の電荷読出側から電荷読出側とは反対側の電位印加側にわたって、絶縁膜5を介して光透過性を有する導電性材料6を形成し、導電性材料6の電荷読出方向側とその反対側に電圧印加部7と電圧印加部8を設け、電圧印加部7と電圧印加部8に異なる電圧を印加している。導電性材料6に生じた電位分布により第二導電型領域4のポテンシャル分布に傾斜をつけ、信号電荷を電荷読出側へ移動させ、電荷の読み残しに起因する残像現象を安価に抑制するとともに、高速の読み出しを行うことができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
第一導電型の基板領域とともに光電変換部を構成する第二導電型領域の上層に、絶縁膜を介して光透過性を有する導電性材料が形成され、当該導電性材料の電荷読出側とその反対側に電圧印加部が形成され、当該電荷読出側の電圧印加部の方に高い電圧が印加されることを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 A
, H04N5/335 E
4M118AA02
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118CB14
, 4M118DA21
, 4M118DA23
, 4M118FA06
, 4M118FA33
, 5C024AX01
, 5C024CX43
, 5C024CY47
, 5C024GX03
, 5C024GY31
, 5C024GY41
出願人引用 (1件)
審査官引用 (10件)
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特開平4-127583
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MOS型増幅撮像素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-011445
出願人：エルジーセミコンカンパニーリミテッド
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特開昭55-165687
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