特許
J-GLOBAL ID：200903079006253556
高い絶縁強度を有するパワー半導体モジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 武久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-383264
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270730
出願日： 2001年12月17日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】 基板のセンサ及び/又は駆動回路のために設けられ且つ大地電位上または他の電位上に位置する金属被覆をも追加的に有し得るパワーモジュールにおいて、基礎絶縁の絶縁強度を高めること及び部分放電特性を改善すること。【解決手段】 金属被覆(2ないしは5)がセラミックス(1)の第1表面(4)ないしは第2表面(7)を部分的にだけ被い、セラミックス(1)の縁(8)に対する、高い電位上に位置する第1金属被覆(2)の金属被覆縁(3)からの間隔が、セラミックス(1)の縁(8)に対する、第2金属被覆(5)の金属被覆縁(6)からの間隔よりも小さく、このことが基板の基礎絶縁の絶縁強度を増加させること。
請求項（抜粋）：
ケーシングと、コンタクトのために必要な接続要素と、少なくとも1つの半導体構成品と、両側にて金属被覆されているセラミック基板とを有する、ベースプレートを有する又はベースプレートを伴わないパワー半導体モジュールにおいて、金属被覆(2ないしは5)がセラミックス(1)の第1表面(4)ないしは第2表面(7)を部分的にだけ被い、セラミックス(1)の縁(8)に対する、高い電位上に位置する第1金属被覆(2)の金属被覆縁(3)からの間隔が、セラミックス(1)の縁(8)に対する、第2金属被覆(5)の金属被覆縁(6)からの間隔よりも小さく、このことが基板の基礎絶縁の絶縁強度を増加させることを特徴とするパワー半導体モジュール。
引用特許：
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