特許
J-GLOBAL ID：200903079082486918
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-248925
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064186
出願日： 2000年08月18日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体キャパシタを有する半導体装置において、強誘電体キャパシタの電気特性を最適化する。【解決手段】 TiN膜上にIr膜を形成し、さらにIrO<SB>2</SB>膜とPt膜とをせきそうした構造の下側電極と、前記下側電極上に形成された強誘電体膜とよりなる強誘電体キャパシタにおいて、前記IrO<SB>2</SB>膜中のIrO<SB>2</SB>結晶粒を、<200>方向に優先配向させる。またIr膜を堆積する際の温度を最適化することにより、応力制御を行い、歩留りを向上させる。
請求項（抜粋）：
下側電極と、前記下側電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された上側電極とを有する半導体装置において、前記下側電極は、<200>方向に優先的に配向したIrO<SB>2</SB>膜と、前記IrO<SB>2</SB>膜上に形成されたPt膜とよりなることを特徴とする半導体装置。
Fターム (13件)：
5F083AD10
, 5F083AD21
, 5F083AD49
, 5F083FR02
, 5F083JA15
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083PR22
, 5F083PR33
