不揮発性メモリ用素子及び不揮発性メモリ並びに不揮発性メモリ内蔵シフトレジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：栗原浩之 , 村中克年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-111939
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270550
出願日： 2007年04月20日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：

【課題】標準的なCMOSICの製造工程で電気的な書換えが可能な不揮発性メモリの形成が可能となり、集積回路の調整用等として汎用性に優れる不揮発性メモリ用素子を提供する。【解決手段】浮遊ゲートFGをそれぞれ具備するPMOSトランジスタTr1、PMOSトランジスタTr2及びNMOSトランジスタTr3を形成するとともに、PMOSトランジスタTr1とPMOSトランジスタTr2とを互いに分離されたウェル上に形成した。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

浮遊ゲートをそれぞれ具備する第1のPMOSトランジスタ、第2のPMOSトランジスタ及び第1のNMOSトランジスタを形成するとともに、前記第1のPMOSトランジスタと第2のPMOSトランジスタとを互いに分離されたウェル上に形成したことを特徴とする不揮発性メモリ用素子。

IPC (6件)：

H01L 21/824 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115 , H01L 27/10 , G11C 16/04

FI (4件)：

H01L29/78 371 , H01L27/10 434 , H01L27/10 461 , G11C17/00 623B

Fターム (24件)：

5B125BA09 , 5B125CA00 , 5B125EA01 , 5B125EB02 , 5B125FA02 , 5B125FA06 , 5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083EP30 , 5F083ER02 , 5F083ER19 , 5F083ZA12 , 5F101BA01 , 5F101BA04 , 5F101BB06 , 5F101BB09 , 5F101BC02 , 5F101BC11 , 5F101BD02 , 5F101BD24 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BG09

引用特許：

出願人引用 (1件)

US6882574号公報

審査官引用 (6件)

不揮発性記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-175556 出願人：セイコーエプソン株式会社
単一レベル・ゲート不揮発性メモリ素子およびそのアクセス方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-140509 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-261751 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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