特許
J-GLOBAL ID：200903079381149960
半導体ウェーハの製造方法および両面研削方法並びに半導体ウェーハの両面研削装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
木村 高久
, 小幡 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-152882
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332281
出願日： 2005年05月25日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】 半導体ウェーハの外周部が面取りされていない状態(若しくは粗面取りがされている状態)で両面研削を行うに際して、ウェーハ外周部での欠けやチッピングを防止しつつ、面取り形状の悪化、ウェーハ周方向での面取り形状のバラツキをなくす。【解決手段】 シリコンウェーハ1の外周部1Rを保護部材としてのキャリア13によって保護した状態で両面研削を行う。シリコンウェーハ1の一方の面1aに水を供給することによりシリコンウェーハ1の一方の面1aをパッド11から浮かせつつ、シリコンウェーハ1の他方の面1bを把持することによりキャリア13からシリコンウェーハ1を取り出す。両面研削工程後に(ウェーハ取り出し後に)面取り工程を実施する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体インゴットを切断して半導体ウェーハを取得する切断工程と、
切断工程後に、半導体ウェーハの外周部を保護部材で保護した状態で保護部材を回転駆動させることにより、半導体ウェーハを回転させて、半導体ウェーハの両面を、研削用砥石を用いて両面研削する両面研削工程と、
両面研削工程後に、半導体ウェーハの外周部を面取りする面取り工程と
を含むことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/304 631
, H01L21/304 601B
, B24B7/20
3C043BB00
, 3C043CC02
, 3C043EE04
, 3C069AA01
, 3C069BA06
, 3C069CA04
, 3C069EA05
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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