特許
J-GLOBAL ID：200903079382508204

電力用半導体装置

発明者：
齋 藤 渉

齋 藤 渉 について

, 
大 村 一 郎

大 村 一 郎 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-200584
公開番号（公開出願番号）：特開2006-024690
出願日： 2004年07月07日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：
【課題】 ソフトスイッチング方式に適したパワーMOSFETを有する電力用半導体装置を得ることを可能にする。【解決手段】 スーパージャンクション構造を有したMOSFETのライフタイムを短くし、ソース・ドレイン間にリカバリーが高速なスーパージャンクション構造を有したショットキーバリアダイオードを接続する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1半導体層と、 前記第1半導体層中に膜面方向に周期的に配置された複数の柱状の第2導電型の第2半導体層と、 前記第1半導体層の一方の側の表面に設けられ前記第1半導体層と電気的に接続された第1電極と、 前記第1半導体層の他方の側の表面領域に選択的に設けられ前記第2半導体層と接続する複数の第2導電型の第3半導体層と、 前記第3半導体層の表面に選択的に設けられた第1導電型の第4半導体層と、 前記第3半導体層および前記第4半導体層の表面に接するように設けられた第2電極と、 隣接する前記第3半導体層間の前記第1半導体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、 を有する電力用スイッチング素子と、 前記電力用スイッチング素子の第1電極にカソードが接続され、前記電力用スイッチング素子の第2電極にアノード電極が接続されたショットキーバリアダイオードと を備えたことを特徴とする電力用半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H02M 3/28 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/336
FI (9件)：
H01L29/78 657A ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652M ,  H02M3/28 T ,  H01L29/48 F ,  H01L29/91 B ,  H01L29/91 D ,  H01L29/78 658H
Fターム (17件)：
4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104FF11 ,  4M104FF31 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG13 ,  4M104GG14 ,  5H730AA02 ,  5H730AA14 ,  5H730BB43 ,  5H730DD04 ,  5H730DD17 ,  5H730DD41 ,  5H730ZZ15
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (9件)
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