特許
J-GLOBAL ID：200903079635094991

非平面トランジスタを有する固体イメージセンサ素子及びその製造方法

発明者：
柳 政▲ホ▼

柳 政▲ホ▼ について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-306376
公開番号（公開出願番号）：特開2006-121093
出願日： 2005年10月20日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】非平面トランジスタを有する固体イメージセンサ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】アクティブピクセルセンサが垂直ゲート電極及びチャンネルを有する非平面トランジスタで構成され、残像及び暗電流の効果が最小化されたCIS素子及びその製造方法である。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された素子分離領域により画定される複数の活性領域を備える半導体基板と、 前記活性領域のうち一つの活性領域にそれぞれ一つずつ形成されている複数のピクセルを備えるピクセルアレイと、を備え、 前記各ピクセルは、受光部と、前記受光部から電荷を伝送するための電荷伝送部と、を備え、 前記電荷伝送部は、前記ピクセルの活性領域で前記電荷を伝送するための垂直チャンネル領域と、前記素子分離領域で前記垂直チャンネル領域に隣接するように配置された垂直ゲート電極と、前記垂直チャンネル領域と垂直ゲート電極との間に配置された絶縁物質と、を備えることを特徴とするイメージセンサ素子。
IPC (1件)：
H01L 27/146
FI (1件)：
H01L27/14 A
Fターム (9件)：
4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118FA06 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33
引用特許：
審査官引用 (11件)
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